IXYS MCD1916IO1B

Описание и технические характеристики IXYS MCD1916IO1B

Описание:
IXYS MCD1916IO1B — это мощный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный свободно-ходовой диод для защиты от обратного напряжения

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT (N-канальный) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 16 А |
| Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 32 А |
| Падение напряжения V_CE(sat) | 2,1 В (при I_C = 8 A) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 50 Вт |
| Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |
| Сопротивление затвор-эмиттер (R_GE) | 5,6 Ом |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-251 (IPAK) |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные парт-номера:

• IXYS MCD1916IO1 (аналогичная модель, но с другим корпусом или упаковкой)
• IXGH16N60B (аналог от IXYS с близкими параметрами)
• IRG4PC50UD (International Rectifier, аналог)
• STGW19NC60WD (STMicroelectronics, схожие характеристики)

Совместимые модели (аналоги):

• FGA25N120ANTD (Fairchild, 25 А, 1200 В)
• HGTG20N60A4 (ON Semiconductor, 20 А, 600 В)
• IRGP4063DPBF (Infineon, 24 А, 600 В)

Применение

• Импульсные блоки питания
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочные аппараты
• Системы управления мощностью

Если требуется более точная информация по заменам, рекомендуется проверять datasheet конкретного приложения.