IXYS MCD5612IO8B

Описание и технические характеристики IXYS MCD5612IO8B

Описание:
IXYS MCD5612IO8B – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный в корпусе TO-263 (D²PAK). Он предназначен для высокоэффективных коммутационных и усилительных приложений, включая импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, моторные драйверы и силовую электронику.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение (VDS) | 600 В | | Макс. ток (ID) | 12 А | | Мощность (PD) | 150 Вт (при 25°C) | | Сопротивление RDS(on) | 0.56 Ом (при VGS = 10 В) | | Пороговое напряжение (VGS(th)) | 4 В (тип.) | | Емкость затвора (Ciss) | 1500 пФ (тип.) | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• IXYS MCD5612IO8B (оригинальная модель)
• IXFH12N60P (аналог по характеристикам)
• IRFB12N60A (International Rectifier)
• STP12NK60Z (STMicroelectronics)

Совместимые модели (схожие параметры):

• FQP12N60C (Fairchild/ON Semi)
• IPP12N60N (Infineon)
• 2SK3562 (Toshiba)

Все перечисленные аналоги имеют схожие параметры (600 В, 12 А), но могут отличаться по RDS(on), корпусу и тепловым характеристикам.

Если вам нужен точный аналог, следует уточнить параметры по напряжению, току и сопротивлению RDS(on).