IXYS MCD5616IO1

Описание и технические характеристики IXYS MCD5616IO1

Описание:
IXYS MCD5616IO1 – это мощный MOSFET-транзистор с изолированным корпусом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В | | Макс. ток стока (I_D) | 16 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.35 Ом (при 10 В, 8 А) | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Температура перехода | от -55°C до +150°C | | Заряд затвора (Q_g) | 60 нКл (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 12 нс (тип.) | | Время выключения (t_d(off)) | 50 нс (тип.) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• IXYS (Littelfuse): MCD5616, MCD5616IO1A
• Infineon: IPW60R041C6, IPP60R099C6
• STMicroelectronics: STW16NK65Z, STP16NK65Z
• ON Semiconductor: FDPF16N60NZ, NTP16N60

Примечание:
При замене на аналог необходимо учитывать не только электрические параметры (напряжение, ток, R_DS(on)), но и тепловые характеристики, а также корпус.

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитами и учитывать особенности конкретной схемы.