IXYS MDD172-08N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD172-08N1

IXYS MDD172-08N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для высокоэффективных импульсных приложений, таких как DC-DC преобразователи, драйверы двигателей и силовые инверторы.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 80 В
• Ток стока (I_D) при 25°C: 17 А (непрерывный)
• Импульсный ток (I_DM): 51 А
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)):
  • 0.072 Ом (при V_GS = 10 В)
  • 0.1 Ом (при V_GS = 4.5 В)
• Напряжение отсечки (V_GS(th)): 2–4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 50 Вт
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Тип корпуса: DPAK (TO-252)

Парт-номера и аналоги:

• IXYS: MDD172-08N1
• Аналоги и совместимые модели:
  • Infineon/IPD: IPD90N08S4-04
  • Vishay/Siliconix: SQJ456EP-T1_GE3
  • ON Semiconductor: NTD80N08-35G
  • STMicroelectronics: STP80NF08

При замене рекомендуется проверять соответствие характеристик, особенно R_DS(on) и V_GS(th).

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Драйверы двигателей
• Инверторы и H-мосты
• Системы управления мощностью

Если требуется более высокая эффективность или другие параметры, можно рассмотреть MOSFET с меньшим R_DS(on) или улучшенным тепловым сопротивлением.