IXYS MDD175-28N1

Описание

IXYS MDD175-28N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных импульсных приложений. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 175 А | | Ток коллектора импульсный (I_CM) | 350 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.8 В (при I_C = 175 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0.12 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Диапазон температур | -55 °C … +150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXGN175N120B3
• IXGN120N60B3 (аналог с меньшим напряжением)
• IXGH50N120B3 (меньший ток, но схожее напряжение)

Аналоги от других производителей:

• Infineon IKW75N120T2
• STMicroelectronics STGW75HF120W
• Fairchild (ON Semiconductor) FGA75N120ANTD

Совместимые модули (IGBT-модули с похожими параметрами):

• SEMIKRON SKM300GB12T4
• Mitsubishi CM300DY-12NF

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями
• Индукционные нагреватели

Если требуется замена, важно учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также конструкцию корпуса.