IXYS MDD200-21N1

Описание

IXYS MDD200-21N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с двойным диодом (Dual Diode), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Компонент обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его идеальным для импульсных источников питания, инверторов, моторных приводов и других силовых электронных систем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Dual Diode) |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Максимальный ток стока (I_D) при 25°C | 200 А |
| Максимальный импульсный ток (I_DM) | 400 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.021 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4–6 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 830 Вт |
| Диапазон рабочих температур | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Встроенные диоды | Да (быстрые recovery-диоды) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

• IXYS MDD200-22N1 (аналог с близкими параметрами)
• IXYS MDD250-16N1 (более высокий ток, но ниже напряжение)
• IXYS MDD180-24N1 (похожие характеристики, другой корпус)
• Infineon IPA60R190E6 (альтернатива от Infineon)
• STMicroelectronics STW70N65M5 (схожий MOSFET от ST)

Совместимые модели в схемах:

• В драйверах двигателей и инверторах могут использоваться совместно с:
  • IXYS IXGN200N120B3
  • Infineon IKW75N65EH5
  • Microsemi APT75GR120J

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверить соответствие характеристик, особенно V_DSS, I_D и R_DS(on), а также учесть различия в динамических параметрах (например, Q_g).

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните!