IXYS MDD255-12N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD255-12N1

IXYS MDD255-12N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, индукционные нагреватели и управление двигателями.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D при 25°C): 9 А
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 36 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 2.5 Ом (при V_GS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 150 Вт
• Тип корпуса: TO-247 (MDD)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от IXYS:
  • IXFH9N120
  • IXFK9N120
• Совместимые модели от других производителей:
  • STMicroelectronics: STW9NK120Z
  • Infineon: IPW90R120C3
  • Fairchild (ON Semiconductor): FCP11N120

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Индукционные нагреватели
• Управление электродвигателями
• Высоковольтные коммутационные схемы

Этот MOSFET обладает высокой надежностью и хорошими динамическими характеристиками, что делает его подходящим для требовательных силовых приложений.

Если нужны дополнительные аналоги, уточните производителя или параметры замены.