IXYS MDD25514N1

Описание

IXYS MDD25514N1 – это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-252 (DPAK), разработанный для высокоэффективных коммутационных приложений. Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Силовая электроника в промышленных и автомобильных системах

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление канала (RDS(on)) для минимизации потерь
• Высокая скорость переключения
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 100 В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 75 А |
| Сопротивление канала (RDS(on)) | 4.5 мОм (при VGS=10 В) |
| Пороговое напряжение (VGS(th)) | 2–4 В |
| Макс. мощность рассеивания (PD)| 80 Вт (при 25°C) |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Рабочая температура | -55°C … +175°C |
| Заряд затвора (Qg) | 60 нКл (тип.) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• IRFS7530-7PPBF (International Rectifier)
• STP80N10F7 (STMicroelectronics)
• FDBL86062_F085 (ON Semiconductor)

Похожие MOSFET (сопоставимые параметры):

• IRL1004 (International Rectifier)
• AUIRF1404Z (Infineon)
• NTMFS5C604NL (ON Semiconductor)

Альтернативы в других корпусах:

• IRF3205 (TO-220) – для решений с радиатором
• SI7860ADP (PowerPAK® SO-8) – компактный аналог

Примечания

• При замене на аналог учитывайте VDS, ID и RDS(on).
• Для высокочастотных применений важны параметры Qg и Ciss.
• Рекомендуется проверять разводку платы, так как у аналогов могут быть отличия в цоколевке.

Если нужна помощь в подборе аналога для конкретной схемы – уточните условия работы (напряжение, ток, частота переключения).