IXYS MDD2614N1B

Описание

IXYS MDD2614N1B — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (MOSFET), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он предназначен для использования в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Высокая энергоэффективность
• Корпус TO-252 (DPAK) для удобного монтажа

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 2.4 А (непрерывный) |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 1.4 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 50 Вт (при 25°C) |
| Время включения (t_d(on)) | 11 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 60 нс |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

• IXYS MDD2614N1 (предыдущая версия)
• Infineon IPA60R199CP (аналог с близкими параметрами)
• STMicroelectronics STB2NK60Z
• Fairchild (ON Semiconductor) FCPF2N60
• IRF840 (менее мощный, но может использоваться в некоторых схемах)

Совместимые модели в других корпусах:

• IXYS IXFH2N60P (TO-247)
• IXYS IXTA2N60P (TO-220)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и H-мосты
• Управление двигателями
• Системы управления мощностью

Этот транзистор подходит для замены в схемах, где требуются высокое напряжение и умеренный ток. Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните!