IXYS MDD31214N1

Описание и технические характеристики IXYS MDD31214N1

Описание:
IXYS MDD31214N1 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Используется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, моторных драйверах и других схемах управления мощностью. Отличается низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения.

Основные характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|--------------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 12 А (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 1.2 Ом (при V_GS = 15 В) | | Потребляемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Емкость входа (C_iss) | 1300 пФ | | Время включения (t_d(on)) | 10 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 35 нс | | Корпус | TO-247 | | Диапазон рабочих температур | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальный номер:

• IXYS MDD31214N1

Аналоги и совместимые модели:

• IXFH12N120
• IRFP450 (с некоторыми ограничениями по V_DSS)
• STW12N120
• APT12012JN
• IXTH12N120

Примечание:
При замене на аналог необходимо учитывать различия в характеристиках, особенно по напряжению, току и R_DS(on).

Если нужны дополнительные данные или уточнения — сообщите!