IXYS MDD312-16N1

Описание

IXYS MDD312-16N1 – это мощный MOSFET-транзистор N-типа, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем эффективное теплоотведение, и предназначен для использования в импульсных источниках питания, инверторах, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1600 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 12 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 3.5 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 или аналогичный (уточняется по даташиту) |
| Температура хранения/работы | -55°C до +150°C |
| Заряд затвора (Q_g) | ~110 нКл (тип.) |
| Время включения/выключения (t_r/t_f) | ~50 нс / ~100 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS MDD312-16N2 (аналог с улучшенными характеристиками)
• IXYS MDD312-14N1 (с пониженным напряжением V_DSS)
• Infineon IPA60R280P7 (частичная замена, требуется проверка параметров)
• STMicroelectronics STW20NM60 (альтернатива с близкими характеристиками)

Совместимые модели в схемах:

• IRFP460 (менее мощный, но может использоваться в некоторых случаях)
• IXFH12N160 (аналог от IXYS с похожими параметрами)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров в конкретной схеме.

Если нужна дополнительная информация (например, графики характеристик или рекомендации по монтажу), уточните!