IXYS MDD4414N1B

Описание

IXYS MDD4414N1B – это N-канальный MOSFET транзистор с защитным диодом, разработанный для высокоэффективных силовых применений. Основные сферы применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Инверторы и драйверы

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление канала (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод (Body Diode)
• Высокая надежность и термостабильность

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 40 В | | Макс. ток стока (I_D) | 50 А (при 25°C) | | Сопротивление R_DS(on) | 14 мОм (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 110 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | Встроенный диод | Да | | Температура хранения | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (аналоги)

• IXYS MDD4414N1-G (альтернативная маркировка)
• Infineon IPD90N04S4-04 (40 В, 90 А, 4.4 мОм)
• Vishay SiR440DP (40 В, 54 А, 13 мОм)
• ON Semiconductor NTD40N04-35 (40 В, 40 А, 14 мОм)

Совместимые модели (по параметрам)

• IRF3205 (55 В, 110 А, 8 мОм) – для более высоких токов
• STP55NF06L (60 В, 55 А, 17 мОм)
• AOD4184 (40 В, 84 А, 8 мОм)

Примечание

При замене на аналог учитывайте:

• Напряжение V_DSS
• Ток I_D
• R_DS(on)
• Корпус (TO-252 / DPAK)

Для точного подбора рекомендуется проверять даташиты и условия работы схемы.