IXYS MDD4418N1B

IXYS MDD4418N1B – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Максимальный ток стока (I_D): 4.5 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): ~3.5 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2.5 – 5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 40 Вт (при 25°C)
• Корпус: TO-252 (DPAK)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IXYS MDD4418N1 (аналог с тем же напряжением и током)
• STMicroelectronics STB4NK100Z (1000 В, 4.5 А, TO-263)
• Infineon IPA60R380P6 (600 В, 5.4 А, TO-252)
• ON Semiconductor NTHL040N100S3 (1000 В, 4.5 А, DPAK)

Совместимые модели (в зависимости от схемы):

• Fairchild (ON Semi) FCP11N60 (600 В, 11 А, TO-220)
• IRF840 (500 В, 8 А, TO-220) (менее мощный, но может использоваться в некоторых схемах)
• STP4NK100ZFP (1000 В, 4 А, TO-220)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и H-мосты
• Управление электродвигателями

Если вам нужен точный аналог, лучше проверить datasheet на соответствие параметров в вашей схеме. Некоторые аналоги могут отличаться корпусом или характеристиками при высоких температурах.