IXYS MDD5614N1B

IXYS MDD5614N1B – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы и DC-DC преобразователи.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В
• Максимальный ток стока (I_D): 14 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.65 Ом (при V_GS = 10 В)
• Мощность рассеивания (P_D): 125 Вт
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Емкость затвора (C_iss): 1300 пФ (типовое)
• Время включения (t_d(on)): 15 нс
• Время выключения (t_d(off)): 60 нс
• Корпус: TO-252 (DPAK)

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• IXYS: MDD5614N1-G, MDD5614N1
• ON Semiconductor: FDPF14N60NZ, FDP18N50
• Infineon: IPD90R1K4C3
• STMicroelectronics: STP14NK60ZFP
• Vishay: IRF840

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• IXYS: MDD5616N1 (16 A, 600 В)
• Infineon: IPP60R190C6 (600 В, 11 A)
• ON Semiconductor: NTHL020N60S3 (600 В, 20 A)
• STMicroelectronics: STW14NK50Z (500 В, 14 A)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Управление мощной нагрузкой

Этот MOSFET подходит для замены в схемах, где требуется высокая надежность и эффективность при высоких напряжениях.