IXYS MDD5616N1B

Описание IXYS MDD5616N1B

IXYS MDD5616N1B – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Основные особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (VDSS = 600 В)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on) = 1.6 Ом)
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Корпус TO-252 (DPAK), подходящий для поверхностного монтажа

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 600 В |
| Макс. ток стока (ID) | 1.6 А (при 25°C) |
| Сопротивление RDS(on) | 1.6 Ом (при VGS = 10 В) |
| Мощность (PD) | 40 Вт |
| Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В |
| Время включения (ton) | 20 нс |
| Время выключения (toff) | 50 нс |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (схожие характеристики):

• IXYS MDD5616N2B (аналог с другим корпусом)
• STMicroelectronics STP2NK60Z (600 В, 1.75 Ом, 2 А)
• Infineon IPA60R190P7S (600 В, 1.9 Ом, 2.5 А)
• Fairchild (ON Semiconductor) FQP2N60C (600 В, 2.5 Ом, 2 А)

Совместимые модели (с проверкой параметров!):

• IRF840 (500 В, 0.85 Ом, 8 А) – для менее требовательных схем
• STP4NK60ZFP (600 В, 2.5 Ом, 4 А) – более мощный аналог
• IXFH1N60 (600 В, 1.5 Ом, 1 А) – альтернатива с близкими параметрами

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Если нужна точная замена, рекомендуется проверить спецификации в даташите, особенно RDS(on), VDS и корпус. Некоторые аналоги могут требовать изменения схемы из-за различий в динамических характеристиках.