IXYS MDD7212N1B

IXYS MDD7212N1B – это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, разработанный для высокоэффективных импульсных преобразователей, DC-DC преобразователей, управляющих схем и других приложений, где требуется высокая скорость переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 72 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 12 мОм (при V_GS = 10 В) | | Потребляемая мощность (P_D) | 360 Вт | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Время включения (t_d(on)) | 30 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 60 нс | | Корпус | TO-263 (D2PAK) | | Рабочая температура | -55°C…+150°C |

Ключевые особенности

• Высокая перегрузочная способность по току
• Низкое сопротивление R_DS(on)
• Быстрое переключение
• Высокая надежность и термостабильность
• Подходит для высокочастотных импульсных приложений

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS (Infineon):

• MDD7212N1
• MDD7212N1A
• MDD7212N2B

Совместимые аналоги от других производителей:

• IRF3205 (International Rectifier) – частичная замена, но с другими параметрами (55 В, 110 А, R_DS(on) = 8 мОм)
• FDP8878 (Fairchild/ON Semi) – 30 В, 118 А, R_DS(on) = 3.2 мОм
• STP80NF55-06 (STMicroelectronics) – 55 В, 80 А, R_DS(on) = 6 мОм

Примечание: При замене необходимо учитывать различия в напряжении, токе и динамических параметрах.

Типовые применения

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Инверторы и драйверы
• Солнечные и силовые преобразователи

Если требуется более точная замена, рекомендуется использовать оригинальный MDD7212N1B или его прямые аналоги от IXYS/Infineon.