IXYS MDD810-12N2

Описание и технические характеристики IXYS MDD810-12N2

IXYS MDD810-12N2 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-252 (DPAK), разработанный для высокоэффективных силовых приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его идеальным для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, управления двигателями и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 120 В | | Макс. ток стока (I_D) | 8,7 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0,12 Ом (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Макс. мощность (P_D) | 40 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | Температурный диапазон | -55°C до +150°C | | Заряд затвора (Q_g) | 12 нКл (тип.) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замены):

• IRFZ44NS (International Rectifier, аналог по характеристикам)
• STP80NF12 (STMicroelectronics)
• FDPF12N50NZ (Fairchild/ON Semiconductor)
• IPP120N12N3 (Infineon)

Совместимые модели от IXYS:

• MDD810-10N2 (100 В, 10 А)
• MDD810-15N2 (150 В, 7,5 А)
• MDD810-20N2 (200 В, 6,5 А)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Инверторы и драйверы
• Аудиоусилители класса D

Преимущества

✔ Низкое R_DS(on) для уменьшения потерь
✔ Быстрое переключение
✔ Высокая надежность
✔ Компактный корпус TO-252

Этот транзистор подходит для замены в схемах, где требуется высокая эффективность и надежность. Если вам нужен более мощный аналог, можно рассмотреть модели с большим током и напряжением от IXYS или других производителей.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь! 🚀