IXYS MDD9508N1B

Описание IXYS MDD9508N1B

IXYS MDD9508N1B – это N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для высокоэффективного переключения в силовых приложениях. Компонент обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, управления двигателями и других приложений с высокой мощностью.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В | | Макс. ток стока (I_D) | 50 А (при 25°C) | | Сопротивление (R_DS(on)) | 8 мОм (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеяния (P_D) | 50 Вт | | Корпус | TO-252 (DPAK) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Тип затвора | Логический уровень (частично совместим с 5В) |

Альтернативные и совместимые модели:

Парт-номера:

• IXYS (Littelfuse): MDD9508N1B
• Аналоги:
  • IRF3205 (International Rectifier)
  • FDP8870 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • STP80NF10 (STMicroelectronics)
  • AUIRF3205 (Infineon)

Совместимые модели (по ключевым параметрам):

• IRLB8748PbF (Infineon) – V_DSS = 100 В, I_D = 80 А, R_DS(on) = 8 мОм
• SUD50N08-09L (Vishay) – V_DSS = 80 В, I_D = 50 А, R_DS(on) = 9 мОм
• FQP50N06L (ON Semiconductor) – V_DSS = 60 В, I_D = 50 А, R_DS(on) = 14 мОм

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями (H-мосты)
• Инверторы и драйверы LED

Примечание:

При замене на аналог необходимо учитывать различия в V_GS(th) и динамических характеристиках. Для точного подбора рекомендуется проверять даташиты.

Если нужны дополнительные параметры (C_iss, Q_g и т. д.), уточните – предоставлю расширенные данные.