IXYS MDD9512N1B

Описание IXYS MDD9512N1B

IXYS MDD9512N1B — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, разработанный для высокоэффективных импульсных приложений, таких как DC-DC преобразователи, управление двигателями, инверторы и другие силовые электронные системы.

Ключевые особенности:

• Высокая скорость переключения
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Высокая устойчивость к импульсным нагрузкам
• Защита от статического электричества (ESD)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|-------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 95 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 12 мОм (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Макс. мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_J) | от -55°C до +175°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут включать:

• IRFP4468PbF (International Rectifier)
• STP110N8F6 (STMicroelectronics)
• FDP047N10 (ON Semiconductor)
• IPP110N20N3 (Infineon)

Обратите внимание, что при замене необходимо учитывать различия в характеристиках, особенно по V_DSS, I_D и R_DS(on).

Если вам нужны точные аналоги или дополнительные данные по применению, уточните условия эксплуатации (частоту переключения, температурный режим и т. д.).