IXYS MDD95-18N1B

IXYS MDD95-18N1B – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (MOSFET), разработанный для применения в высоковольтных и высокочастотных схемах, таких как импульсные источники питания, двигатели и инверторы.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1800 В
• Максимальный ток стока (I_D): 18 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.95 Ом (при V_GS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В (типовое)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Тип корпуса: TO-247 (изолированный)
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS MDD95-18N1 (неизолированный вариант)
• IXYS MDD95-18N1A (модификация с другими параметрами корпуса)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• IXFH18N100 (1000 В, 18 А)
• IXTH18N100 (1000 В, 18 А)
• STW18NK100Z (1000 В, 18 А, STMicroelectronics)
• IRFP460 (500 В, 20 А, International Rectifier)

Применение:

• Высоковольтные импульсные блоки питания
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Системы электропитания промышленного оборудования

Этот MOSFET отличается высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам, что делает его популярным в промышленной электронике. Перед заменой на аналог рекомендуется сверять datasheet, особенно по напряжению и току.