IXYS MMIX1F420N10T

Описание

IXYS MMIX1F420N10T — это мощный N-канальный MOSFET транзистор с изолированным корпусом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Используется в импульсных источниках питания, системах управления двигателями, инверторах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 4.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 4.5 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 50 Вт |
| Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |
| Заряд затвора (Q_g) | 6 нКл (тип.) |
| Время включения (t_d(on)) | 10 нс (тип.) |
| Время выключения (t_d(off)) | 30 нс (тип.) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

• IXYS (Littelfuse):
  • MMIX1F420N10 (аналог без изолированного корпуса)
  • IXFH4N100 (1000 В, 4 А, TO-247)
• Infineon:
  • IPD90R1K0C3 (900 В, 4.5 А, TO-252)
• STMicroelectronics:
  • STF4N100 (1000 В, 4 А, TO-220)
• Vishay:
  • IRF740 (400 В, 10 А, TO-220, может заменяться в низковольтных схемах)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Инверторы и сварочное оборудование

Если требуется более высокая мощность, можно рассмотреть аналоги в корпусах TO-247 или TO-220 (например, IXFH4N100 или STF4N100). Для замены важно учитывать напряжение, ток и тепловые характеристики.