IXYS mw8933-f9

IXYS MW8933-F9 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, DC-DC преобразователи и индукционные нагреватели.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 900 В
• Максимальный ток стока (I_D) при 25°C: 6 А
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 24 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 2.5 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3.5 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 125 Вт
• Температура перехода (T_J): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Парт-номера и аналоги:

• IXYS MW8933 (базовая модель)
• IXYS IXFH6N90 (аналог с близкими характеристиками)
• STMicroelectronics STP6NK90Z
• Infineon IPP60R099CP
• Fairchild (ON Semiconductor) FCP6N90

Совместимые модели и замены:

• IRFP460 (900 В, 5 А, TO-247)
• STW6N90K5 (900 В, 6 А, TO-247)
• IXFH10N90 (900 В, 10 А, TO-247) – более мощный аналог
• IXFH6N100 (1000 В, 6 А, TO-247) – с повышенным напряжением

Данный MOSFET подходит для применения в силовой электронике, где требуется высокое напряжение и умеренный ток. При замене рекомендуется проверять соответствие характеристик, особенно R_DS(on) и V_GS(th).