IXYS N086RH12

IXYS N086RH12 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он широко используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток стока (I_D): 8 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 1.2 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 50 Вт
• Корпус: TO-247 (изолированный вариант)
• Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS N086RH12 (оригинальная модель)
• IXYS IXTH8N120 (близкий аналог)
• Infineon IPW60R120P7
• STMicroelectronics STW8N120K5
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH8N120

Эти транзисторы имеют схожие параметры и могут использоваться в аналогичных схемах с проверкой характеристик в конкретном применении.

Особенности и применение

• Высокое напряжение пробоя (1200 В) делает его пригодным для сетевых и промышленных приложений.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии снижает потери мощности.
• Быстрое переключение, подходит для высокочастотных преобразователей.
• Изолированный корпус TO-247 улучшает тепловые характеристики и упрощает монтаж на радиатор.

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Высоковольтные DC-DC преобразователи

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется сверить даташиты на предмет соответствия параметров в вашей схеме.