IXYS N1010NC320SAA

Описание IXYS N1010NC320SAA

IXYS N1010NC320SAA – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Корпус TO-263 (D²Pak) обеспечивает эффективный теплоотвод, а конструкция транзистора гарантирует надежность в условиях высоких нагрузок.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 10 А (при 25°C) |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 3.2 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 125 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Емкость затвора (C_iss) | 300 пФ (тип.) |
| Корпус | TO-263 (D²Pak) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

• IXYS N1010NC320SAA (оригинальный номер)
• IXFH10N100 (аналог от IXYS)
• STP10NK100Z (аналог от STMicroelectronics)
• IRF1010N (аналог от Infineon/IR)
• FQP10N100C (аналог от ON Semiconductor)

Совместимые модели

Транзисторы с аналогичными параметрами (1000 В, ~10 А, TO-263/D²Pak):

• STP10NK100ZFP (STMicroelectronics)
• IRF1010NPbF (Infineon)
• FQPF10N100C (ON Semiconductor)
• IXFH10N100 (IXYS/Littelfuse)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Устройства защиты от перенапряжений
• Высоковольтные ключевые схемы

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или специфическим условиям эксплуатации, уточните детали!