IXYS N105CH12

Описание

IXYS N105CH12 — это N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 10 А | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 1.5 Ом (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В | | Макс. мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт | | Корпус | TO-247 (возможны аналогичные варианты) | | Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS / Littelfuse:

• IXFH10N120
• IXFN10N120
• IXTH10N120

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: IPP60R120C6
• STMicroelectronics: STW12N120K5
• ON Semiconductor: NTHL080N120SC1
• Vishay: IRFP460

Похожие модели (с близкими параметрами):

• IXYS IXFH15N120 (15 А, 1200 В)
• IXYS IXFN20N120 (20 А, 1200 В)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Если вам нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните запрос!