IXYS N1124NS18K

Описание и технические характеристики IXYS N1124NS18K

IXYS N1124NS18K – это N-канальный MOSFET транзистор с изолированным затвором (IGBT-подобный), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Основные области применения: импульсные источники питания (SMPS), инверторы, DC-DC преобразователи, системы управления двигателями и другие силовые электронные устройства.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 1800 В |
| Ток стока (I_D) при 25°C (постоянный) | 1.2 А |
| Ток стока (I_D) импульсный | 4.8 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 18 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4.0 В (тип.) |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 50 Вт |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Температура перехода (T_J) | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS N1124NS18K (оригинал)
• IXFH12N180 (аналог от IXYS, 1800 В, 12 А)
• STP12NM60 (аналог от STMicroelectronics, 600 В, 12 А) – для менее высоковольтных схем
• IRFP460 (аналог от Infineon, 500 В, 20 А) – требует проверки в схеме
• FQP12N180 (аналог от Fairchild/ON Semi, 1800 В, 12 А)

Совместимые модели в схемах (зависит от применения):

• IXYS N1124NS16K (аналогичный, но с R_DS(on) = 16 Ом)
• IXYS N1124NS20K (аналогичный, но с R_DS(on) = 20 Ом)
• IXFN12N180 (в другом корпусе)

Примечания:

• При замене на аналог необходимо учитывать напряжение, ток и R_DS(on).
• Для высокочастотных схем важна емкость затвора (C_iss, C_oss, C_rss).

Если вам нужны точные параметры для конкретной схемы, уточните условия работы (частоту, токи, температурный режим).