IXYS N1132NC320

Описание и технические характеристики IXYS N1132NC320

IXYS N1132NC320 – это N-канальный MOSFET транзистор с изолированным затвором (IGBT-подобный), изготовленный по технологии Trench & Field Stop, что обеспечивает низкие потери проводимости и высокую эффективность. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики (Datasheet):

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 320 В | | Макс. ток стока (I_D) | 113 A (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_DM) | 340 A | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 4.5 мОм (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Время включения (t_d(on)) | 15 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 60 нс | | Заряд затвора (Q_g) | 170 нКл |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS N1132NC325 (аналогичный, с небольшими вариациями параметров)
• IXYS IXFN113N30P (близкий по характеристикам)
• Infineon IPP113N20N3 (альтернатива с похожими параметрами)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• IRFP4368PbF (International Rectifier, 75 V, 130 A, R_DS(on) = 4.5 мОм)
• STW75NF20 (STMicroelectronics, 200 V, 75 A, R_DS(on) = 5.5 мОм)
• FDPF33N25T (Fairchild/ON Semi, 250 V, 33 A, R_DS(on) = 8.5 мОм)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Системы резервного питания (UPS)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна более точная информация, рекомендуется проверить официальный datasheet IXYS N1132NC320 или уточнить у производителя (Littelfuse, который приобрел IXYS).