IXYS N1132NC360

Описание и технические характеристики IXYS N1132NC360

IXYS N1132NC360 – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным корпусом, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других приложений, требующих высокой надежности и эффективности.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 360 В
• Максимальный ток стока (I_D): 113 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 3.2 мОм (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3.0 – 5.0 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Корпус: TO-268 (TO-264, Isolated)
• Температура хранения/эксплуатации: -55°C … +150°C

Ключевые особенности:

• Высокая перегрузочная способность
• Быстрое переключение
• Низкое сопротивление канала (R_DS(on))
• Изолированный корпус для улучшенного теплоотвода

Парт-номера и совместимые аналоги:

Аналоги от IXYS / Littelfuse:

• IXYS N1132NC340 (340 В, 113 А)
• IXYS N1132NC400 (400 В, 113 А)
• IXYS IXFN113N30 (300 В, 113 А)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon IPP60R360P7 (360 В, 60 А, 360 мОм)
• STMicroelectronics STW75N3LLH5 (30 В, 75 А, 3.2 мОм)
• ON Semiconductor NTMFS5C670NL (30 В, 100 А, 1.7 мОм)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Солнечные инверторы
• Сварочное оборудование

Если вам нужны более точные аналоги или специфические замены, уточните условия работы (частоту переключения, температурный режим).