IXYS N1159NC420

Описание и технические характеристики IXYS N1159NC420

IXYS N1159NC420 – это высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с изолированным затвором (IGBT-подобные характеристики), предназначенный для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, промышленных и автомобильных системах управления.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1200 В
• Ток стока (I_D) при 25°C: 15 А
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 60 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.42 Ом (при V_GS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Тип корпуса: TO-247 (изолированный)
• Температурный диапазон: -55°C … +150°C

Парт-номера и аналоги:

• IXYS N1159NC420 (оригинал)
• IXYS IXFN15N120
• Infineon IPW60R041C6
• STMicroelectronics STW15NK120Z
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH15N120

Совместимые модели (зависит от схемы):

• IXYS N1159NC410 (аналог с R_DS(on) = 0.41 Ом)
• IXYS IXFN20N120 (20 А, 1200 В)
• Infineon IPA60R190C6 (600 В, но схожая логика управления)

Данный MOSFET подходит для замены в схемах мощных преобразователей, инверторов и драйверов двигателей, где требуется высокое напряжение и средний ток. Перед заменой рекомендуется проверить соответствие параметров в конкретной схеме.