IXYS N1178NS10E

Описание и технические характеристики IXYS N1178NS10E

IXYS N1178NS10E – это N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT-подобный), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)), высокой скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, драйверов двигателей и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|---------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В | | Макс. ток стока (I_D) | 117 A | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 10 мОм (при V_GS = 10 В) | | Макс. мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт | | Напряжение отсечки затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Емкость затвора (C_iss) | ~5000 пФ | | Время включения/выключения (t_r/t_f) | ~30 нс / ~20 нс | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -55 °C до +150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (альтернативные модели):

• IXYS N1178NS10 (тот же транзистор, но с другим лотом/упаковкой)
• IXFN117N10 (аналог от IXYS с близкими параметрами)
• IRFP4568PbF (International Rectifier, 100 В, 104 А)
• STP110N10F7 (STMicroelectronics, 100 В, 110 А)
• FDPF100N10 (Fairchild/ON Semiconductor, 100 В, 100 А)

Совместимые модели в схемах (зависит от применения):

• IRFB4110PbF (100 В, 90 А)
• AUIRF1405Z (55 В, 169 А, но в низковольтных схемах)
• IPP117N10N5 (Infineon, 100 В, 100 А)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и H-мосты
• Управление двигателями
• Силовая электроника в промышленности и автомобилестроении

Если вам нужна замена, важно учитывать не только напряжение и ток, но и динамические характеристики (C_iss, R_DS(on)), а также тепловые параметры.

Нужна дополнительная информация?