IXYS N1275NS18M

IXYS N1275NS18M – Описание и технические характеристики

Описание:

IXYS N1275NS18M – это N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и высокомощных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для:

• Импульсных источников питания (SMPS)
• Инверторов и преобразователей частоты
• Управления двигателями
• Солнечных инверторов и систем возобновляемой энергии

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|------------------------|-------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение (VDS) | 1200 В |
| Макс. ток (ID) | 75 А (при 25°C) |
| Сопротивление (RDS(on))| 18 мОм (при VGS = 15 В) |
| Напряжение затвора (VGS)| ±30 В |
| Рассеиваемая мощность (PD)| 540 Вт (на изолированном радиаторе)|
| Корпус | TO-247 |
| Температура хранения | от -55°C до +175°C |

Эквиваленты и совместимые модели:

• IXYS N1275NS18M (оригинал)
• IXYS N1275NS18 (аналогичный, но без дополнительного суффикса)
• IXYS IXFN75N120 (близкий по параметрам)
• Infineon IPW75R120C7 (альтернатива от Infineon)
• STMicroelectronics STW75N120
• Toshiba TK75J12W

Примечания:

• Перед заменой рекомендуется сверять datasheet на соответствие параметров.
• Для надежной работы в высоковольтных схемах необходим правильный теплоотвод.

Если нужна дополнительная информация (графики, схемы включения), уточните запрос!