IXYS N1483CH36

IXYS N1483CH36 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он широко используется в импульсных источниках питания, инверторах, управлении двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики (основные параметры):

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Структура: SuperMESH™ (оптимизирована для низкого сопротивления и высокой скорости переключения)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 400 В
• Максимальный ток стока (I_D): 29 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 0.18 Ом (при V_GS = 10 В)
  • 0.23 Ом (при V_GS = 4.5 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (изолированный или неизолированный, в зависимости от версии)
• Заряд затвора (Q_g): ~65 нКл (типовое значение)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В

Альтернативные парт-номера и эквиваленты:

• IXYS (Littelfuse):
  • IXFH29N40 (аналог с близкими параметрами)
  • IXTH29N40 (в другом корпусе)
• Infineon:
  • IPP60R190P6 (аналог с Superjunction технологией)
• STMicroelectronics:
  • STW29NK40Z (схожий MOSFET)
• Vishay:
  • IRFP450 (менее современный, но функционально близкий аналог)

Совместимые модели и применение:

Транзистор подходит для замены в схемах, где требуются MOSFET с напряжением 400 В и током до 30 А, например:

• Импульсные блоки питания (включая компьютерные и промышленные)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и частотные приводы
• Управление электродвигателями
• Сварочное оборудование

Примечание: При замене на аналоги необходимо учитывать разводку корпуса, тепловые характеристики и параметры управляющего сигнала.

Если нужны дополнительные параметры (графики, точные значения C_iss, C_oss и др.), уточните!