IXYS N1802NS120

Описание и технические характеристики IXYS N1802NS120

IXYS N1802NS120 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии TrenchMOS, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Основные области применения: импульсные источники питания, инверторы, DC-DC преобразователи, управление двигателями и другие силовые электронные устройства.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|-------------------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (TrenchMOS) | | Макс. напряжение сток-исток (V_DS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 18 А (при 25°C) | | Сопротивление канала (R_DS(on)) | 0.19 Ом (при V_GS = 15 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Емкость затвора (C_iss) | 2500 пФ (тип.) | | Время включения (t_d(on)) | 35 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 60 нс | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги (cross-reference):

• Infineon IPW60R045CP
• STMicroelectronics STW18NM120
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH76N60
• IR (Infineon) IRFP460

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXYS IXFH18N120
• IXYS IXFN18N120
• IXYS IXTH18N120
• STMicroelectronics STP18NM120

Примечания:

• Транзистор N1802NS120 имеет низкое сопротивление открытого канала, что снижает потери мощности.
• Подходит для высокочастотных коммутационных схем благодаря быстрому переключению.
• Необходимо учитывать тепловой режим работы, так как при высокой мощности требуется эффективный теплоотвод.

Если вам нужны дополнительные параметры или схемы включения, уточните — помогу!