IXYS VBO1308NO2

Описание и технические характеристики IXYS VBO1308NO2

IXYS VBO1308NO2 – это мощный MOSFET-транзистор с N-каналом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, DC-DC преобразователи, инверторы и системы управления двигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 800 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 8 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 1.2 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GSS) | ±30 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 125 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Диод обратного восстановления (Q_rr) | Быстрый восстановительный диод |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогами и близкими по характеристикам MOSFET-транзисторами являются:

• IXYS VBO1308N (аналог с похожими параметрами)
• Infineon IPW90R120C3 (900 В, 11 А, 0.12 Ом)
• STMicroelectronics STW8N80K5 (800 В, 8 А, 0.85 Ом)
• Fairchild FCP8N80 (800 В, 8 А, 1.2 Ом)
• IRF840 (менее мощный аналог, 500 В, 8 А, 0.85 Ом)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и частотные приводы
• Управление двигателями
• Высоковольтные коммутационные схемы

Если вам нужны дополнительные данные или точные параметры для конкретного применения, уточните детали!