IXYS VBO4012N06

Описание и технические характеристики IXYS VBO4012N06

IXYS VBO4012N06 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK), предназначенный для высоковольтных и силовых приложений. Он обладает низким сопротивлением открытого канала (R_DS(on)) и высокой стойкостью к импульсным нагрузкам, что делает его подходящим для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, систем управления двигателями и других силовых электронных устройств.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 60 В | | Макс. ток стока (I_D) | 40 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 12 мОм (при V_GS = 10 В, I_D = 20 А) | | Порожоговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Макс. мощность рассеивания (P_D) | 125 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | | Рабочая температура | от -55°C до +175°C | | Тип затвора | Стандартный (не логический уровень) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги и парт-номера от IXYS:

• VBO4012N06 (основная модель)
• IXTA40N06 (близкий аналог в другом корпусе)

Совместимые аналоги от других производителей:

• IRF3205 (International Rectifier, 55 В, 110 А, R_DS(on) = 8 мОм)
• STP40N10 (STMicroelectronics, 100 В, 40 А, R_DS(on) = 28 мОм)
• FQP50N06 (Fairchild/ON Semi, 60 В, 50 А, R_DS(on) = 20 мОм)
• IRLB3813 (Infineon, 30 В, 180 А, R_DS(on) = 3 мОм) – для низковольтных приложений

Примечание:

При замене на аналог следует учитывать напряжение, ток, R_DS(on) и корпус, так как параметры могут отличаться.

Применение:

• DC-DC преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление двигателями
• Силовые ключи в инверторах

Если нужны более точные данные по конкретному применению, уточните условия работы.