IXYS VHF2812IO1

Описание

IXYS VHF2812IO1 – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для применений в силовой электронике, где требуется высокое напряжение и эффективное управление мощностью. Этот транзистор обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его пригодным для импульсных источников питания, инверторов и других высокочастотных схем.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 2.5 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 2.8 Ом (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 50 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-251 (IPAK) | | Температурный диапазон | -55°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и совместимые MOSFET-транзисторы:

• IRFBE20 (International Rectifier, 1000 В, 2.5 А)
• STP2NK90Z (STMicroelectronics, 900 В, 2.2 А)
• FQPF2N90C (Fairchild/ON Semi, 900 В, 2 А)
• 2SK2837 (Toshiba, 900 В, 3 А)

Для точной замены рекомендуется проверять соответствие параметров в даташите.

Если требуется дополнительная информация (например, графики характеристик или условия эксплуатации), уточните запрос.