IXYS VUB12012N02T

IXYS VUB12012N02T
Артикул: 378699

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IXYS VUB12012N02T

Описание

IXYS VUB12012N02T – это мощный MOSFET-транзистор N-типа, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Ключевые особенности:

  • Высокое напряжение сток-исток (1200 В)
  • Большой ток стока (12 А)
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
  • Быстрое переключение
  • Корпус TO-263 (D2PAK) для эффективного теплоотвода

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 12 А |
| Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 0.75 Ом (при VGS = 10 В) |
| Потребляемая мощность (PD) | 150 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3–5 В |
| Корпус | TO-263 (D2PAK) |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |


Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замены):

  • IXYS VUB12012N02 (аналогичный параметрам, но может отличаться корпусом)
  • IXFH12N120P (Infineon)
  • STW12N120 (STMicroelectronics)
  • IRFB12N120P (Infineon/IR)

Совместимые модели (схожие характеристики):

  • IXYS IXFN12N120 (TO-247 корпус, 1200 В, 12 А)
  • Fairchild FCH12N120
  • Toshiba TK12A12U

Применение

  • Импульсные блоки питания
  • Инверторы и преобразователи частоты
  • Управление электродвигателями
  • Высоковольтные системы

Если нужна дополнительная информация по аналогам или специфическим применениям, уточните запрос!

Товары из этой же категории