IXYS VUB12012N02T

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS VUB12012N02T
Описание
IXYS VUB12012N02T – это мощный MOSFET-транзистор N-типа, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах. Ключевые особенности:
- Высокое напряжение сток-исток (1200 В)
- Большой ток стока (12 А)
- Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on))
- Быстрое переключение
- Корпус TO-263 (D2PAK) для эффективного теплоотвода
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (ID) при 25°C | 12 А |
| Сопротивление сток-исток (RDS(on)) | 0.75 Ом (при VGS = 10 В) |
| Потребляемая мощность (PD) | 150 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3–5 В |
| Корпус | TO-263 (D2PAK) |
| Рабочая температура | -55°C … +150°C |
Парт-номера и аналоги
Прямые аналоги (замены):
- IXYS VUB12012N02 (аналогичный параметрам, но может отличаться корпусом)
- IXFH12N120P (Infineon)
- STW12N120 (STMicroelectronics)
- IRFB12N120P (Infineon/IR)
Совместимые модели (схожие характеристики):
- IXYS IXFN12N120 (TO-247 корпус, 1200 В, 12 А)
- Fairchild FCH12N120
- Toshiba TK12A12U
Применение
- Импульсные блоки питания
- Инверторы и преобразователи частоты
- Управление электродвигателями
- Высоковольтные системы
Если нужна дополнительная информация по аналогам или специфическим применениям, уточните запрос!