IXYS VUB120-12N02T

Описание

IXYS VUB120-12N02T – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с напряжением стока-истока 1200 В и током стока 12 А. Применяется в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных преобразователях частоты и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение и высокая эффективность
• Устойчивость к высоким импульсным нагрузкам
• Пластиковый корпус TO-263 (D²PAK) с хорошим теплоотводом

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 12 A |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 3.0 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 24 нКл (тип.) |
| Корпус | TO-263 (D²PAK) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера и аналоги от IXYS:

• VUB120-12N02 (аналог без буквы "T" в конце)
• IXFH12N120 (близкий по параметрам)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon – IPW60R120C7, SPP20N60S5
• STMicroelectronics – STW12NK100Z, STP12NM60
• ON Semiconductor – FCP11N60, NTHL12N120

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и драйверы двигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные преобразователи

Если требуется более точный аналог, стоит учитывать параметры V_DSS, I_D и R_DS(on). Для замены в критичных схемах рекомендуется проверять datasheet.