IXYS VUB7216NOXT

VUB7216NOXT (IXYS) – это N-канальный MOSFET транзистор с технологией TrenchT2, предназначенный для высокоэффективных импульсных преобразователей и силовых приложений.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Технология: TrenchT2 (низкое сопротивление в открытом состоянии)
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 60 В
• Максимальный ток стока (I_D): 60 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)):
  • 4.5 мОм (при V_GS = 10 В)
  • 6.0 мОм (при V_GS = 4.5 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2.0–4.0 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 150 Вт
• Тип корпуса: TO-263 (D2PAK)
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Ключевые преимущества:

• Низкое R_DS(on) для минимизации потерь
• Быстрое переключение
• Высокая надежность в силовых приложениях
• Подходит для DC-DC преобразователей, моторных драйверов и схем управления питанием

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

• IXYS (Littelfuse): VUB7216NO, VUB7216N
• Аналоги других производителей:
  • Infineon/IPD: IPD90N04S4-03
  • Vishay/Siliconix: SiR456DP
  • ON Semiconductor: NTMFS4821NG
  • STMicroelectronics: STL60N6F7

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление двигателями
• Силовая электроника в автомобильной и промышленной сферах

Если требуется более точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам конкретного применения.