IXYS VUE130-06NO7

IXYS VUE130-06NO7 – Описание и технические характеристики

Описание

IXYS VUE130-06NO7 – это высоковольтный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом. Этот модуль предназначен для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока.

Основные технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Максимальный ток коллектора (I_C): 130 А
• Ток коллектора (I_C) при 25°C (постоянный): 130 А
• Ток коллектора (I_C) при 100°C (постоянный): 80 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 330 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 45 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (TO-264 или аналогичный)
• Встроенный диод: быстрый восстановительный (FRD)

Парт-номера и аналоги

• Оригинальный номер: VUE130-06NO7
• Аналоги и совместимые модели:
  • IXYS VUM130-06NO7
  • Infineon IKW75N60T
  • STMicroelectronics STGW75HF60WD
  • Fairchild (ON Semiconductor) FGH75N60SMD
  • Mitsubishi CM75DY-24H

Совместимые модели и заменители

Модуль может быть заменён на аналоги с близкими параметрами (600 В, 75–130 А). Однако перед заменой рекомендуется проверить характеристики и схему включения.

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или параметры диода), уточните запрос.