IXYS VUO11018NO7

IXYS VUO110-18NO7 – это мощный MOSFET-модуль, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, инверторы и системы управления двигателями.

Основные технические характеристики:

• Тип прибора: MOSFET-модуль (N-канальный)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1800 В
• Максимальный ток стока (I_D): 110 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.18 Ом (при V_GS = 15 В, I_D = 55 А)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4.5 В
• Максимальная мощность рассеивания (P_D): 830 Вт
• Тип корпуса: TO-268 (изолированный)
• Рабочая температура: -55°C до +150°C

Парт-номера и аналоги:

• Оригинальный номер: VUO110-18NO7
• Аналоги и совместимые модели:
  • IXYS VUO110-18NO7 (полный аналог)
  • IXYS VUO110-16NO7 (1600 В версия)
  • IXYS VUO120-18NO7 (120 А версия)
  • APT18028JVR (Advanced Power Technology)
  • IRFP4568PbF (Infineon, менее мощный аналог)

Совместимые модели и применение:

Модуль подходит для замены в схемах с высоковольтными MOSFET, особенно в:

• Высоковольтных инверторах
• Импульсных блоках питания (SMPS)
• Системах управления электродвигателями
• Индукционных нагревателях

При выборе аналога важно учитывать напряжение, ток и тепловые характеристики. Для точной замены рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.