IXYS VUO160-12N07

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS VUO160-12N07
IXYS VUO160-12N07 – Описание и технические характеристики
Общее описание
IXYS VUO160-12N07 – это мощный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений, таких как:
- Промышленные инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Электроприводы и системы управления двигателями
- Сварочное оборудование
- Системы возобновляемой энергии
Модуль выполнен в изолированном корпусе, что обеспечивает удобство монтажа на радиатор.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|------------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) |
| Конфигурация | Двухключевая (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC при 25°C) | 160 А |
| Импульсный ток (ICM) | 320 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 625 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 90 нс |
| Время выключения (toff) | 500 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C … +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | Изолированный (Viso = 2500 В) |
| Вес | ~100 г |
Парт-номера и совместимые модели
Альтернативные парт-номера:
- IXYS VUO160-12NO7 (вариант написания)
- IXYS VUO160-12N07-1 (модификация)
Аналоги и совместимые модели:
- Infineon FF200R12KE3 (200A, 1200V, Half-Bridge)
- Semikron SKM200GB12T4 (200A, 1200V)
- Mitsubishi CM200DY-12NF (200A, 1200V)
- Fuji Electric 2MBI200U4A-120 (200A, 1200V)
Примечание: При замене на аналог необходимо учитывать различия в характеристиках и схемотехнике.
Применение и особенности
- Высокая надежность благодаря NPT-технологии.
- Подходит для частотных преобразователей и мощных импульсных схем.
- Требует эффективного охлаждения (радиатор + принудительный обдув при больших токах).
Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.