IXYS VUO18-08DT8

Описание IXYS VUO18-08DT8

IXYS VUO18-08DT8 – это силовой полупроводниковый модуль, содержащий два MOSFET-транзистора в корпусе Dual Topside Cool™ с изолированным основанием. Модуль предназначен для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых приложений.

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET (2 шт. в модуле)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 80 В
• Непрерывный ток стока (I_D при 25°C): 18 А (на каждый транзистор)
• Импульсный ток стока (I_DM): 72 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,045 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 2 – 4 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 40 Вт
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: Dual Topside Cool™ (D²PAK)

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IXYS VUO18-08DT7 (аналогичный модуль, но с другим R_DS(on))
• IXYS VUO18-08NO7 (альтернативная версия с другим корпусом)

Совместимые / альтернативные модели (по параметрам):

• Infineon IPB180N08S4 (80 В, 18 А, TO-263)
• STMicroelectronics STP180N8F6 (80 В, 180 А, TO-220)
• Vishay SUP85N08-18 (80 В, 85 А, TO-263)

Модуль IXYS VUO18-08DT8 часто используется в DC-DC преобразователях, электроприводах и системах управления питанием. При замене аналогами следует учитывать параметры R_DS(on), максимальный ток и корпус.

Если нужна более точная замена, уточните условия работы (частота переключений, охлаждение и т. д.).