IXYS VUO18-14DT8

Описание IXYS VUO18-14DT8

IXYS VUO18-14DT8 – это силовой полупроводниковый модуль, содержащий два MOSFET транзистора в конфигурации "верхний + нижний" (Half-Bridge) с защитными диодами. Модуль предназначен для применения в импульсных источниках питания, инверторах, двигательных приводах и других силовых электронных системах.

Корпус Dual247™ обеспечивает высокую механическую прочность и эффективное охлаждение. Модуль оптимизирован для работы на высоких частотах и в условиях высоких токов.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип: N-канальные MOSFET (Half-Bridge)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1400 В
• Постоянный ток (I_D): 18 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_DM): 72 А
• Сопротивление сток-исток (R_DS(on)): 0,55 Ом (тип.)
• Рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт

Диоды:

• Встроенные обратные диоды: Да
• Прямое напряжение диода (V_F): 1,6 В (тип.)

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_J): -40°C до +150°C
• Термосопротивление (R_thJC): 0,5 °C/Вт

Управление:

• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Ёмкость затвора (C_iss): 3500 пФ

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (аналогичные модели):

• IXYS VUO18-14NO8 (без встроенных диодов)
• IXYS VUO18-14N07 (аналог с близкими параметрами)

Совместимые / альтернативные модели (от других производителей):

• Infineon FF18R12RT4 (1200 В, 18 А, Half-Bridge)
• STMicroelectronics STGIPS20K60 (600 В, 20 А, с драйвером)
• Mitsubishi CM600DY-24A (1200 В, 600 А, для более мощных систем)

Применение

• Инверторы
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление двигателями
• Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы)

Если нужна более детальная информация по конкретному аналогу или datasheet, уточните запрос!