IXYS VUO1816DT8

Описание IXYS VUO1816DT8

IXYS VUO1816DT8 – это силовой полупроводниковый модуль, содержащий два MOSFET-транзистора в конфигурации "верхний+нижний" (Half-Bridge). Предназначен для высоковольтных и высокочастотных переключающих приложений, включая импульсные источники питания, инверторы, двигательные приводы и промышленные системы управления.

Модуль выполнен в изолированном корпусе, что обеспечивает хорошие тепловые характеристики и электрическую изоляцию между компонентами.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип структуры: N-канальные MOSFET (2 шт. в half-bridge)
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 800 В
• Непрерывный ток стока (I_D при 25°C): 18 А
• Импульсный ток (I_DM): 72 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,16 Ом (тип.)
• Мощность рассеивания (P_tot): 300 Вт
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Корпус: TO-263-7L (D²PAK)

Динамические характеристики:

• Заряд затвора (Q_g): 120 нКл (тип.)
• Время включения (t_d(on)): 20 нс (тип.)
• Время выключения (t_d(off)): 60 нс (тип.)

Изоляционные параметры:

• Напряжение изоляции (V_iso): 2500 В (RMS)

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS VUO1816DT8 (оригинал)
• IXYS VUO1816DT8-1 (версия с улучшенными характеристиками)
• IXYS VUO1808DT8 (аналог с меньшим током, 8 А)

Совместимые модели (похожие параметры, проверка схемы обязательна):

• Infineon IRFB4227PbF (отдельный MOSFET, требует адаптации схемы)
• STMicroelectronics STW45NM60 (N-канальный MOSFET, 600 В, 45 А)
• Fairchild (ON Semiconductor) FDPF18N50 (500 В, 18 А)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы (DC-AC)
• Управление двигателями (H-мосты)
• Промышленные преобразователи частоты

Примечание

При замене на аналог необходимо учитывать различия в корпусе, управляющих характеристиках и тепловых режимах. Рекомендуется проверять datasheet перед использованием альтернативных моделей.

Если нужна дополнительная информация по конкретному применению, уточните условия работы!