IXYS VUO3412NO1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS VUO3412NO1
IXYS VUO3412NO1 - Описание и технические характеристики
Описание:
IXYS VUO3412NO1 – это высоковольтный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных преобразователях частоты и других силовых электронных устройствах.
Основные технические характеристики:
| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Максимальный ток коллектора (IC) | 34 А |
| Максимальный импульсный ток (ICM) | 68 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | 2.1 В (при IC = 34 А) |
| Время включения (ton) | 55 нс |
| Время выключения (toff) | 350 нс |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Диапазон рабочих температур | -55°C … +150°C |
Эквиваленты и парт-номера:
- IXYS VUO34-12NO1 (альтернативное обозначение)
- IXYS VUO34-12NO1-T (версия с ленточной упаковкой)
- IRG4PH40UD (аналог от International Rectifier)
- HGTG34N60A4D (аналог от ON Semiconductor)
- FGA34N120ANTD (аналог от Fairchild/ON Semi)
Совместимые модели (аналоги по характеристикам):
- IXYS VUO36-12NO1 (36 А, 1200 В)
- IXYS VUO40-12NO1 (40 А, 1200 В)
- IXYS VUO30-12NO1 (30 А, 1200 В)
- IRGP4063DPBF (Infineon, 40 А, 1200 В)
- STGW40H120DF2 (STMicroelectronics, 40 А, 1200 В)
Применение:
- Инверторы и частотные преобразователи
- Импульсные блоки питания (SMPS)
- Сварочное оборудование
- Управление электродвигателями
Транзистор обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовых приложениях благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии и быстрому переключению.
Если нужны уточнения или дополнительные аналоги – сообщите!