IXYS VUO34-12NO1

Описание

IXYS VUO34-12NO1 – это мощный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в высоковольтных и сильноточных схемах. Компонент отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | IGBT (N-канал) | | Макс. напряжение V_CES | 1200 В | | Макс. коллекторный ток I_C | 34 А (при 25°C) | | Ток коллектора (импульсный) | 68 А | | Напряжение затвор-эмиттер V_GE | ±20 В (макс.) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (с теплоотводом) | | Падение напряжения V_CE(sat) | 2.5 В (тип.) при I_C = 34 А | | Время включения (t_on) | 55 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 320 нс (тип.) | | Корпус | TO-264 (изолированный) | | Диапазон температур | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS/Infineon/Littelfuse:

• IXYS VUO34-12NO7 (аналог с улучшенными параметрами)
• IXGH34N120B3 (близкий по характеристикам, 1200 В, 34 А)
• IXGH40N120B3 (40 А, 1200 В, TO-247)

Аналоги от других производителей:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200 В, 40 А)
• FGA34N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200 В, 34 А)
• STGW34NC120HD (STMicroelectronics, 1200 В, 34 А)

Совместимые модули (для замены в схемах):

• SKM200GB12T4 (Semikron, IGBT-модуль)
• FF200R12KE3 (Infineon, 1200 В, 200 А – для мощных систем)

Примечание

При замене на аналог учитывайте:

• Напряжение и ток коллектора.
• Скорость переключения и потери.
• Тип корпуса и тепловые характеристики.

Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, особенно в высокочастотных схемах.