IXYS VUO34-16NO1

IXYS VUO34-16NO1 – это высоковольтный MOSFET-транзистор с быстрым переключением, предназначенный для использования в импульсных источниках питания, инверторах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики (Datasheet Parameters)

Основные параметры:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Напряжение сток-исток (V_DSS): 1600 В
• Ток стока (I_D): 7,5 А (при 25°C)
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 3,4 Ом (при I_D = 3,75 A, V_GS = 15 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 125 Вт
• Температура перехода (T_J): от -55°C до +150°C

Динамические характеристики:

• Заряд затвора (Q_g): ~55 нКл (при V_DS = 800 В, V_GS = 15 В)
• Время включения (t_d(on)): ~35 нс
• Время выключения (t_d(off)): ~150 нс

Корпус:

• Тип корпуса: TO-247 (изолированный вариант)

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS VUO34-16NO7 (модификация с улучшенными параметрами)
• IXYS VUO34-16NO3 (вариант с другим корпусом)
• IXYS VUO34-16NO5

Частично совместимые модели (аналоги от других производителей):

• Infineon IPW60R041C6 (600 В, но с похожими характеристиками по току и сопротивлению)
• STMicroelectronics STW20NM50 (500 В, но может использоваться в некоторых схемах)
• ON Semiconductor FCH76N60N (600 В, но с близкими параметрами)

Применение и совместимые устройства

Транзистор IXYS VUO34-16NO1 используется в:

• Высоковольтных импульсных блоках питания (SMPS)
• Инверторах и преобразователях частоты
• Системах управления электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)

Совместимые платформы:

• Может заменять MOSFET в схемах, рассчитанных на 1600 В, например, в некоторых моделях сварочных инверторов и высоковольтных преобразователях.
• Подходит для ремонта устройств, где применялись IXYS VUO34-16* серии.

Примечание

Перед заменой рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно затворного заряда (Q_g) и емкости затвора, так как от них зависит работа драйвера.

Если вам нужна более точная информация, укажите конкретное устройство, где планируется применение этого транзистора.