IXYS VUO34-18N01

IXYS VUO34-18N01 – это мощный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT-модуль), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как инверторы, импульсные источники питания, промышленные приводы и системы управления двигателями.

Основные технические характеристики:

• Тип прибора: IGBT + диод (N-канальный)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1800 В
• Ток коллектора (I_C): 34 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 68 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 3.0 В (тип.)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 100 нс / 400 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-264 (аналог TO-3P)

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (IXYS / Littelfuse):

• VUO34-18N07 (модификация с улучшенными параметрами)
• VUO36-18N01 (аналог с близкими характеристиками)
• VUO40-18N01 (аналог с большим током)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IHW30N180R5 (1800 В, 30 А)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-180 (1800 В, 200 А, модуль)
• STMicroelectronics: STGW30H180D (1800 В, 30 А)

Применение:

• Высоковольтные преобразователи
• Индукционный нагрев
• Сварочные аппараты
• Промышленные частотные приводы

Если вам нужны более точные параметры (например, графики зависимостей), уточните – предоставлю дополнительные данные.