IXYS VUO5012NO3

Описание и технические характеристики IXYS VUO5012NO3

Тип компонента: Высоковольтный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT)
Назначение: Управление мощными нагрузками в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных приводах и системах управления энергопотреблением.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|--------------------------| | Структура | N-канальный MOSFET | | Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Максимальный ток стока (I_D) | 50 А (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0,12 Ом (при V_GS = 15 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 (3 вывода) | | Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C | | Встроенный диод | Да (Body Diode) |

Альтернативные парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• IXYS VUO5012NO3 (оригинал)
• IXYS VUO5012 (аналогичный корпус и параметры)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon IRFP460 (1000 В, 20 А, TO-247)
• STMicroelectronics STW45NM50 (500 В, 45 А, TO-247)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH47N60 (600 В, 47 А, TO-247)

Близкие по характеристикам:

• IXYS IXFH50N20 (200 В, 50 А, TO-247)
• IXYS IXFN44N100 (1000 В, 44 А, TO-264)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления двигателями
• Высоковольтные ключевые схемы

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется уточнять разводку выводов и рабочие параметры, так как они могут незначительно отличаться.

Если нужна дополнительная информация по конкретному применению или аналогам, уточните детали!